| 摘要 |
【課題】フォトダイオードから信号電荷が転送される不純物領域に残留した電荷による暗電流を低減すると共に、信号電荷の転送経路におけるポテンシャルの障壁の発生を抑制して転送不良を低減することが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】この固体撮像素子は、第１導電型の半導体層と、半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、ゲート電極の第１の端部よりも平面視で少なくとも外側の半導体層に位置する第２導電型の第１の不純物領域と、ゲート電極の第１の端部に対向する第２の端部よりも平面視で少なくとも外側の半導体層に位置する第２導電型の第２の不純物領域と、ゲート電極の第２の端部から平面視で離れて半導体層における第２の不純物領域の上層に位置し、第２の不純物領域に接する第１導電型の第３の不純物領域とを備える。【選択図】図１ |
