ＲＤＳ×ＣＧＤが改善されたＬＤＭＯＳトランジスタ、及びＲＤＳ×ＣＧＤが改善されたＬＤＭＯＳトランジスタを形成する方法

摘要

記載される例において、横方向に拡散された金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）トランジスタ（１００）のＲｄｓ×Ｃｇｄ性能指数（ＦＯＭ）が、複数の深さ（Ｄ１／Ｄ２）における複数のドーパント注入を用いてドレインドリフト領域（１１２）を形成すること、及びドレインドリフト領域（１１２）に隣接するように複数の深さ（Ｄ３／Ｄ４／Ｄ５）における複数のドーパント注入を用いてステップ形状のバックゲート領域（１２８）を形成することにより改善される。