薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法

摘要

薄膜トランジスタ基板は、酸化物半導体層（５）とソース電極（７Ｓ）及びドレイン電極（７Ｄ）とを含む薄膜トランジスタ（ＤｒＴｒ）を有するＴＦＴ基板（１）であって、ソース電極（７Ｓ）及びドレイン電極（７Ｄ）が形成された層よりも上層に形成され、かつ、ソース電極（７Ｓ）及びドレイン電極（７Ｄ）の少なくとも一方に接続された第１配線（９）と、第１配線（９）が形成された層よりも上層に形成され、かつ、第１配線（９）に接続された端子（１２）とを有し、ソース電極（７Ｓ）及びドレイン電極（７Ｄ）のうち第１配線（９）に接続された方は、銅を含み、第１配線（９）は、第１の膜（９ａ）（透明導電膜）と第２の膜（９ｂ）（銅膜）と第３の膜（９ｃ）（銅マンガン合金膜）とが下から上にこの順序で積層された積層膜であり、端子（１２）は、アルミニウム合金からなる。