发明名称 |
化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
摘要 |
【課題】EUV光等の250nm以下の波長を有する放射線をパターン露光光として用いた場合における感度及びリソグラフィ性能を両立可能な化学増幅型レジスト材料及びこの化学増幅型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(1)重合体成分が、フッ素原子を含み、かつ塩構造を含まない第1構造単位を有する第1重合体、又はフッ素原子及び塩構造を含む第2構造単位を有する第2重合体を含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分のすべてを含有する。【選択図】なし |
申请公布号 |
JP2017054048(A) |
申请公布日期 |
2017.03.16 |
申请号 |
JP20150178982 |
申请日期 |
2015.09.10 |
申请人 |
JSR株式会社 |
发明人 |
中川 恭志;成岡 岳彦;永井 智樹 |
分类号 |
G03F7/039;C08F212/14;C08F220/24;C08F220/28;C08F234/00;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/38 |
主分类号 |
G03F7/039 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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