发明名称 半導体レーザ素子の製造方法
摘要 【課題】平滑度に優れた共振器端面を備える半導体レーザ素子を得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の上に活性層を含む複数の窒化物半導体層が積層された半導体積層体と、を有する半導体ウエハを準備する工程と、前記基板に、亀裂起点部と、前記亀裂起点部から発生する亀裂と、を形成する工程と、前記亀裂の平面視形状から推定される前記半導体ウエハの劈開面と平行な方向に伸びる劈開基準部を形成する工程と、前記劈開基準部と平行な方向に前記半導体ウエハを劈開し、共振器端面を得る工程と、備える半導体レーザ素子の製造方法。【選択図】図3
申请公布号 JP2017055068(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150179967 申请日期 2015.09.11
申请人 日亜化学工業株式会社 发明人 坂田 広基;小泉 大樹
分类号 H01S5/343;H01S5/02 主分类号 H01S5/343
代理机构 代理人
主权项
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