发明名称 半導体装置の製造方法
摘要 【課題】複数の材料を有する半導体基板のダイシング歩留りの向上を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の面と第2の面を有する基板の第1の面上に設けられた窒化物半導体層に、基板が露出するようエッチングにより部分的に第1の溝を形成し、第1の溝内に露出した基板に、基板の一部が残存するよう第2の溝を形成し、基板を第2の面側から第2の溝が露出しないよう除去して、基板を薄くし、基板の第2の面側に金属膜を形成し、第2の溝が形成された箇所の金属膜を除去し、第2の溝が形成された箇所の基板に、第2の面側から第2の溝が露出するよう第3の溝を形成する。【選択図】図8
申请公布号 JP2017054861(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150175951 申请日期 2015.09.07
申请人 株式会社東芝 发明人 増子 真吾
分类号 H01L21/301;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
主权项
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