| 摘要 |
【課題】工程を簡略化し処理コストを低減できるめっき方法、めっき装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 実施形態にかかる電気めっき方法は、パターン状の陽極と、陰極とを、反応槽内において前記陽極と陰極表面に成膜される金属めっき膜の表面との距離が、陰極の表面に成膜される最小幅の金属めっき膜パターンの断面における半値幅よりも小さくなるように対向配置させることと、前記反応槽に少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液を配すことと、前記陰極の電位を前記陽極に対して負の電位にすることにより、前記陰極の表面に金属めっき膜をパターン状に成膜することと、を備える。【選択図】図２ |
