薄膜トランジスタの製造方法

摘要

薄膜トランジスタ（１００）の製造方法は、基板（１１０）の上方に酸化物半導体膜（１４１）を形成する工程と、酸化物半導体膜（１４１）上にシリコン膜（１５１）を形成する工程と、シリコン膜（１５１）をプラズマ酸化することで、（ｉ）シリコン酸化膜（１５２）を形成し、かつ、（ｉｉ）酸化物半導体膜（１４１）に酸素を供給する工程とを含む。