发明名称 Leistungshalbleitervorrichtung
摘要 Ein Driftbereich (1) weist eine erste Leitfähigkeitsart auf. Ein Wannenbereich ist mindestens teilweise in dem Übergangsbereich (AR2) enthalten, weist ein Endteil zwischen dem Übergangsbereich (AR2) und dem Kantenterminierungsbereich (AR3) auf und weist eine zweite Leitfähigkeitsart auf. Ein Erweiterungsbereich (9j) erstreckt sich von dem Wannenbereich nach außen, ist flacher als der Wellenbereich und weist die zweite Leitfähigkeitsart auf. Eine Mehrzahl von Feldbeschränkungsringen (9g) ist außerhalb des Erweiterungsbereichs (9j) in dem Kantenterminierungsbereich (AR3) vorgesehen. Jeder der Feldbeschränkungsringe (9g) bildet zusammen mit dem auf der Innenseite angeordneten Driftbereich (1) eine Einheitsstruktur (US1 bis US6). Der Feldbeschränkungsring (9g), der näher an der Außenseite angeordnet ist, weist eine geringere Proportion einer Breite zu einer Breite der Einheitsstruktur (US1 bis US6) auf. Die Einheitsstruktur (US1 bis US6), die näher an der Außenseite angeordnet ist, weist eine geringere durchschnittliche Dosierung auf.
申请公布号 DE112014006296(T5) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 DE20141106296T 申请日期 2014.01.29
申请人 Mitsubishi Electric Corporation 发明人 Nakamura, Katsumi
分类号 H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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