| 摘要 |
【課題】電荷蓄積層の薄膜化と電荷捕獲の高効率化を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、基板上に配置されたメモリセルを備え、前記メモリセルは、半導体層と、制御ゲート電極と、前記半導体層及び前記制御ゲート電極間に配置された電荷蓄積層と、前記半導体層及び前記電荷蓄積層間に配置された第１絶縁層と、前記電荷蓄積層及び前記ゲート電極間に配置された第２絶縁層とを備え、前記電荷蓄積層は、シリコンと窒素を含む絶縁体を含み、前記絶縁体は更に第１元素又は前記第１元素とは異なる第２元素、並びに、前記絶縁体に含まれた前記第１元素及び前記第２元素とは異なる第３元素を含む。【選択図】図５ |
