ｎ型拡散層形成用組成物、ｎ型拡散層を有する半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法

摘要

【課題】半導体基板において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、特定の部分にｎ型拡散層を形成することができ、半導体基板の特性の劣化を抑制可能なｎ型拡散層形成用組成物の提供。【解決手段】ドナー元素を含むガラス粒子と、分散媒と、を含有し、前記ガラス粒子の含有率が５質量％以上５０質量％以下の範囲であり、前記ドナー元素を含むガラス粒子が、成分を酸化物で表示したときに、Ｐ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５及びＳｂ２Ｏ３からなる群より選択される少なくとも１種のドナー元素含有物質と、ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３からなる群より選択される少なくとも２種のガラス成分物質と、を含有するｎ型拡散層形成用組成物。【選択図】なし