半导体装置的制造方法

摘要

实施方式的半导体装置的制造方法是在包含第1面与第2面的衬底的第1面上所设置的氮化物半导体层，以衬底露出的方式通过蚀刻而局部形成第1沟槽，在第1沟槽内露出的衬底，以保留衬底的一部分的方式形成第2沟槽，对衬底以第2沟槽不从第2面侧露出的方式进行去除，从而使衬底变薄，在衬底的第2面侧形成金属膜，将形成有第2沟槽的部位的金属膜去除，在形成有第2沟槽的部位的衬底，以第2沟槽从第2面侧露出的方式形成第3沟槽。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于在包含第1面与第2面的衬底的所述第1面上所设置的氮化物半导体层，以所述衬底露出的方式通过蚀刻而局部形成第1沟槽，在所述第1沟槽内露出的所述衬底，以保留所述衬底的一部分的方式形成第2沟槽，对所述衬底以所述第2沟槽不从所述第2面侧露出的方式进行去除，从而使所述衬底变薄，在所述衬底的第2面侧形成金属膜，将形成有所述第2沟槽的部位的所述金属膜去除，在形成有所述第2沟槽的部位的所述衬底，以所述第2沟槽从所述第2面侧露出的方式形成第3沟槽。