一种制备角度可控缓坡微结构的方法

摘要

本发明属于半导体器件制造工艺技术领域，具体提供了一种制备角度可控缓坡微结构的方法，该方法首先在基片上生长半导体材料薄膜，再在半导体材料薄膜上旋涂一层光刻胶；然后在曝光阶段，利用光的衍射原理，保持掩膜版与光刻胶之间存在垂直间距，对光刻胶进行曝光，使图形边缘位置产生不同的曝光量，从而显影后得到具有缓坡形状的光刻胶，最后采用干法刻蚀，将缓坡形状转移至半导体材料薄膜，洗去光刻胶，则得到缓坡微结构。本发明工艺简单，可控性好；能够解决目前缓坡刻蚀中缓坡角度难以控制的问题，实现对台面缓坡的角度、刻蚀深度的良好控制，提高了器件和电路的成品率和胶的侧面可控性。

主权项

一种制备角度可控缓坡微结构的方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底基片上生长一层半导体材料薄膜；步骤2、在半导体材料薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3、曝光：将掩膜版与基片对准，且掩膜版与光刻胶之间保持有垂直间距，对光刻胶进行曝光；步骤4、显影：得到边缘具有缓坡形状的光刻胶；步骤5、采用干法刻蚀，将缓坡形状转移至半导体材料薄膜；步骤6、洗去光刻胶，则得到缓坡微结构。