| 发明名称 | 用于制造半导体应用的水平全环栅极器件的纳米线的方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了用于利用期望材料形成半导体芯片的水平全环栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的方法。在一个实例中，一种将纳米线结构形成在基板上的方法包括：将含氧的气体混合物供应到处理腔室中的基板上的多材料层，其中所述多材料层包括重复的第一层和第二层对，所述第一层和所述第二层具有分别通过所述多材料层中限定的开口而暴露的第一组侧壁和第二组侧壁；以及选择性地将氧化层形成在所述第二层中的所述第二组侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN106504991A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201610752395.X | 申请日期 | 2016.08.29 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | S·孙;N·吉田;B·伍德 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种将纳米线结构形成在基板上的方法，所述方法包括：将含氧的气体混合物供应到处理腔室中的基板上的多材料层，其中所述多材料层包括重复的第一层和第二层对，所述第一层和所述第二层具有分别通过所述多材料层中限定的开口而暴露的第一组侧壁和第二组侧壁；以及选择性地将氧化层形成在所述第二层中的所述第二组侧壁上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||