发明名称 |
图像传感器、成像像素和成像系统 |
摘要 |
本公开涉及图像传感器、成像像素和成像系统。要解决的一个技术问题是提供改进的图像传感器、成像像素和成像系统。所述图像传感器具有像素阵列,所述像素阵列包括一个阵列的像素,其中所述一个阵列的像素中的像素包括:浮动扩散区;耦接到所述浮动扩散区的光电二极管;耦接在所述光电二极管和所述浮动扩散区之间的电荷转移晶体管;以及包括反相放大器的有源复位电路,其中所述反相放大器包括p‑沟道增益晶体管和n‑沟道负载晶体管,并且其中所述有源复位电路还包括耦接在所述反相放大器的输出和所述浮动扩散区之间的复位晶体管。通过本实用新型,可以获得改进的图像传感器、成像像素和成像系统。 |
申请公布号 |
CN206023945U |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201620766090.X |
申请日期 |
2016.07.20 |
申请人 |
半导体元件工业有限责任公司 |
发明人 |
J·希内塞克 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
金晓 |
主权项 |
一种图像传感器,所述图像传感器具有像素阵列,所述像素阵列包括一个阵列的像素,其特征在于:所述一个阵列的像素中的像素包括:浮动扩散区;耦接到所述浮动扩散区的光电二极管;耦接在所述光电二极管和所述浮动扩散区之间的电荷转移晶体管;以及包括反相放大器的有源复位电路,其中所述反相放大器包括p‑沟道增益晶体管和n‑沟道负载晶体管,并且其中所述有源复位电路还包括耦接在所述反相放大器的输出和所述浮动扩散区之间的复位晶体管。 |
地址 |
美国亚利桑那 |