发明名称 | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法,该垂直腔面发射激光器阵列包括:形成在基板上的接触层;形成在所述接触层上的台面结构,每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜;形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层,所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘;形成在所述第一金属层上的绝缘膜;以及形成在绝缘膜上的第二金属层,所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。 | ||
申请公布号 | CN106505410A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
申请号 | CN201610791440.2 | 申请日期 | 2016.08.31 |
申请人 | 富士施乐株式会社 | 发明人 | 近藤崇;村上朱实;城岸直辉;早川纯一朗;樱井淳 |
分类号 | H01S5/40(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
主权项 | 一种垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,包括:形成在基板上的接触层;形成在所述接触层上的多个台面结构,每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及所述有源区域上的第二导电型的第二半导体多层反射镜;形成在所述台面结构周围的所述接触层上的第一金属层,所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘;形成在所述第一金属层上的绝缘膜;以及形成在所述绝缘膜上的第二金属层,所述第二金属层的一部分作为所述第二导电型的电极焊盘,其中,所述台面结构并联电连接。 | ||
地址 | 日本东京都 |