用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备

摘要

本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于10¹⁷cm^‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。

主权项

一种对极紫外线辐射透射的膜，其包括：一个或更多个高掺杂区，其中在所述一个或更多个高掺杂区所述膜被以高掺杂剂浓度而掺杂；和一个或更多个低掺杂区，在所述一个或更多个低掺杂区中所述膜未掺杂或具有低掺杂剂浓度；其中高掺杂剂浓度被限定为大于10¹⁷cm^‑3的掺杂剂浓度，低掺杂剂浓度被限定为小于10¹⁷cm^‑3的掺杂剂浓度。