评估多晶硅栅极氧化层缺失缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种评估多晶硅栅极缺失缺陷的方法，包括：将需要检测多晶硅栅极缺失的晶圆正常流片到完成栅极氧化层生成工艺，从而在硅衬底上形成由隔离区隔开的多个阱区，并且在所述多个阱区的表面形成栅极氧化层，而且在所述栅极氧化层中存在凹槽缺陷，所述凹槽缺陷位置下的硅衬底表面高度相对于其它硅衬底表面高度较高；对晶圆整体进行氧化硅刻蚀以去除硅片表面的栅极氧化层，刻蚀后凹槽缺陷位置处的硅衬底呈现凸起缺陷；通过检测易于检查的单晶硅凸起缺陷来确定存在凹槽缺陷的位置。由此，本发明能够迅速准确地检测多晶硅缺失问题，为实验设计以及问题解决提供数据依据，大大减少缺陷检测与问题解决的时间周期。

主权项

一种评估多晶硅栅极氧化层缺失缺陷的方法，其特征在于包括：将需要检测多晶硅栅极氧化层缺失的晶圆正常流片到完成栅极氧化层生成工艺，从而在硅衬底上形成由隔离区隔开的多个阱区，并且在所述多个阱区的表面形成栅极氧化层，而且在所述栅极氧化层中存在凹槽缺陷，所述凹槽缺陷位置下的硅衬底表面高度相对于其它硅衬底表面高度较高；对晶圆整体进行氧化硅刻蚀以去除硅片表面的栅极氧化层，刻蚀后凹槽缺陷位置处的硅衬底呈现凸起缺陷；通过检测易于检查的单晶硅凸起缺陷来确定存在凹槽缺陷的位置。