一种逆阻型IGBT及其制作方法

摘要

本发明公开了一种RB-IGBT及其制作方法，该RB-IGBT包括：衬底，衬底具有漂移区；漂移区包括：第一区、第二区以及包围第二区的第三区；设置在衬底对应第二区的上表面内的主结，主结包围第一区；设置在第三区内的隔离区；设置在衬底对应第一区的上表面内的IGBT元胞；设置在衬底下表面内的集电区；其中，第二区的载流子寿命小于第一区的载流子寿命。本发明技术方案可以消除主结附近的电流集中现象，进而降低了导通时主结处的电流密度，避免了RB-IGBT关断时主结发射雪崩击穿的问题，进而避免器件被烧毁。

主权项

一种RB‑IGBT，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有漂移区；所述漂移区包括：第一区；包围所述第一区的第二区；以及包围所述第二区的第三区；设置在所述衬底对应所述第二区的上表面内的主结，所述主结包围所述第一区；设置在所述第三区内的隔离区；设置在所述衬底对应所述第一区的上表面内的IGBT元胞；设置在所述衬底下表面内的集电区；其中，所述第二区的载流子寿命小于所述第一区的载流子寿命。