| 发明名称 | 硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭 | ||
| 摘要 | 本发明涉及硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭，提供方法和装置，其产生最终介电蚀刻补偿表格和最终硬式蚀刻补偿表格，用于OPC或MPC程序流程。实施例包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移；对照标准，将通孔层和金属层的CD重迭与该通孔层和下部连接金属层的CD重迭、或将该金属层和上部连接通孔层的CD重迭与该金属层和该通孔层的CD重迭相比较；输出最终介电蚀刻补偿和硬式掩膜蚀刻补偿表格至OPC或程序流程；以及对剩下的该通孔层或金属层重复该校准、比较和输出步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN106486347A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610797046.X | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 宁国祥;任玉平;D·帕沃尔;L·史奥克恩;林振忠;保罗·W·阿克曼;胡项 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移；依据该校准对照标准，将通孔层和上部连接金属层的顶部临界尺寸(CD)重迭与该通孔层和下部连接金属层的底部CD重迭相比较、或将该上部连接金属层和上部连接通孔层的顶部CD重迭与该上部连接金属层和该通孔层的底部CD重迭相比较；依据该比较，将该通孔层的最终介电蚀刻补偿表格或该上部连接金属层的最终硬式蚀刻补偿表格输出至光学接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及对剩下的该通孔层或该上部金属层，重复该校准、比较和输出步骤。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||