半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。此种半导体结构包括一存取装置、一介电层、一势垒层、一第一层间导体、一第一势垒衬层、一第二层间导体、一第二势垒衬层、一存储元件及一顶电极层。存取装置具有二个端子。介电层覆盖存取装置。势垒层设置在介电层上。第一及第二层间导体分别连接至二个端子。第一及第二势垒衬层分别设置在第一及第二层间导体的侧壁上。存储元件设置在第一层间导体上。顶电极层设置在势垒层和存储元件上，并覆盖存储元件。

主权项

一种半导体结构，包括：一存取装置，具有二个端子；一介电层，覆盖该存取装置；一势垒层，设置在该介电层上；一第一层间导体，延伸通过该势垒层和该介电层，该第一层间导体连接至该二个端子的其中一者；一第一势垒衬层，设置在该第一层间导体的侧壁上，其中该第一层间导体和该介电层通过该第一势垒衬层物理上地分离开来；一第二层间导体，延伸通过该势垒层和该介电层，该第二层间导体连接至该二个端子的另一者；一第二势垒衬层，设置在该第二层间导体的侧壁上，其中该第二层间导体和该介电层通过该第二势垒衬层物理上地分离开来；一存储元件，设置在该第一层间导体上；以及一顶电极层，设置在该势垒层和该存储元件上，该顶电极层覆盖该存储元件。