一种运动传感器的制备方法

摘要

本发明涉及一种运动传感器的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有CMOS器件，所述基底上还形成有底部电极、以及位于所述底部电极上的牺牲材料层；形成MEMS衬底并图案化，以形成多个第一开口，露出部分所述牺牲材料层；在所述MEMS衬底上沉积覆盖层牺牲材料层并图案化；在所述覆盖层牺牲材料层上沉积覆盖层薄层，以覆盖所述覆盖层牺牲材料层；图案化所述覆盖层薄层，以在所述覆盖层薄层中形成多个第二开口，露出部分所述覆盖层牺牲材料层；去除所述覆盖层牺牲材料层和所述牺牲材料层，以在所述底部电极上方形成空腔；再次沉积所述覆盖层薄层填充所述第二开口，以形成封闭的覆盖层。本发明所述方法使所述传感器的良率提高。

主权项

一种运动传感器的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有CMOS器件，所述基底上还形成有底部电极、以及位于所述底部电极上的牺牲材料层；形成MEMS衬底并图案化，以形成多个第一开口，露出部分所述牺牲材料层；在所述MEMS衬底上沉积覆盖层牺牲材料层并图案化；在所述覆盖层牺牲材料层上沉积覆盖层薄层，以解决晶圆的切割、变薄以及测试过程对所述覆盖层薄层的损坏并覆盖所述覆盖层牺牲材料层；图案化所述覆盖层薄层，以在所述覆盖层薄层中形成多个第二开口，露出部分所述覆盖层牺牲材料层；去除所述覆盖层牺牲材料层和所述牺牲材料层，以在所述底部电极上方形成空腔；再次沉积所述覆盖层薄层填充所述第二开口，以形成封闭的覆盖层；其中，所述覆盖层薄层选用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅、金属薄膜、硅的合金、硅的混合物以及硅的有机覆盖物中的一种。