| 发明名称 | 真空蒸馏高纯镁的方法和装置 | ||
| 摘要 | 含镁金属熔体形式的起始原料(2)与冷凝容器(3)的上部区域(32)共同位于被外部加热元件(5)所加热的还原罐(1)的上部区域(11)中，其中按照箭头(91)所产生的蒸气根据箭头(92)在防止被污染的镁熔体不期望地进入的盖板(4)下方经由开口(31)进入冷凝容器(3)的上部区域(32)之中，其中所述蒸气在相当于镁熔点等温线的直线(8)下方，在被第二个加热元件(51)加热的还原罐下部区域(12)中冷凝，从而在冷凝容器(3)的下部区域(33)中形成高纯镁熔体(21)。通过闭锁机构(6)的开口还原罐(1)的内部空间可以与前室(13)暂时相连，以及通过管路(73)和阀(72)与真空泵(73)相连，通过另一个管路(74)与压力测量仪(75)相连，和通过第三个管路(76)经由阀(77)和压力或流量调节装置(77)与惰性气源(79)相连。 | ||
| 申请公布号 | CN104379781B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201380006118.9 | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 苏黎世联合高等工业学校 | 发明人 | J·勒夫勒;P·乌戈威茨尔;C·韦格曼;M·贝克尔;H·费克廷格尔 |
| 分类号 | C22B9/04(2006.01)I;C22B26/22(2006.01)I | 主分类号 | C22B9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 冯奕 |
| 主权项 | 通过减压蒸馏制备高纯镁的方法，其特征在于，－在液态下凝结高纯镁，－含镁熔体形式的起始原料与冷凝容器的上部区域共同位于还原罐的上部区域之中，－还原罐由不会将挥发性杂质释放给镁蒸气的材料构成，－在两个水平线的界限之内使得还原罐的上部区域达到镁沸点以上的某个温度，然后保持该温度不变，使得蒸气由沸腾的含镁金属熔体上升，并且将还原罐的上部区域的内部空间充满，－进入冷凝容器上部区域之中的蒸气在较低水平线以下凝结并且在冷凝容器的下部区域中聚集成为高纯熔体；且－通过盖板防止从较高水平线上方区域滴落的污染的熔体进入冷凝容器的开口中，所述盖板使得不纯净的镁重新回到熔体之中。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||