具有薄吸收剂的极紫外掩模底板生产系统及其制造系统

摘要

一种极紫外(EUV)掩模底板生产系统包括：基板操控真空腔室，该基板操控真空腔室用以产生真空；基板操控平台，该基板操控平台位在该真空中，该基板操控平台用以传送被装载在该基板操控真空腔室中的超低膨胀基板；及多个子腔室，该多个子腔室可由该基板操控平台进出，该多个子腔室用以形成EUV掩模底板，该EUV掩模底板包括：多层堆叠，该多层堆叠形成在该超低膨胀基板上方，该多层堆叠用以反射极紫外(EUV)光；及吸收剂层，该吸收剂层形成在该多层堆叠上方，该吸收剂层用以吸收在13.5nm的波长的该EUV光，该吸收剂层具有小于80nm的厚度与小于2％的反射率。

主权项

一种极紫外(EUV)掩模底板生产系统，所述系统包含：基板操控真空腔室，所述基板操控真空腔室用以产生真空；基板操控平台，所述基板操控平台位在所述真空中，所述基板操控平台用以传送超低膨胀基板，所述超低膨胀基板装载在所述基板操控真空腔室中；及多个子腔室，所述多个子腔室可通过所述基板操控平台进出，所述多个子腔室用以形成EUV掩模底板，所述EUV掩模底板包括：多层堆叠，所述多层堆叠形成在所述超低膨胀基板上方，所述多层堆叠用以反射极紫外(EUV)光；以及吸收剂层，所述吸收剂层形成在所述多层堆叠上方，所述吸收剂层用以吸收在13.5nm的波长的所述EUV光，所述吸收剂层具有小于80nm的厚度与小于2％的反射率。