| 发明名称 | 一种多晶硅TFT器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅TFT器件及其制造方法，其中多晶硅TFT器件包括：交错排列的扫描线和数据线；与所述扫描线和数据线电连接的半导体层；以及与所述半导体层电连接的像素电极；所述半导体层自其与所述数据线的连接点至其与所述像素电极的连接点，形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区，所述通道区为所述半导体层与扫描线相交重叠的部分，其余部分为掺杂区，至少一个所述掺杂区的宽度为0.5‑3um，离子掺杂浓度为2*E11~5*E15。本发明将半导体层设计为弯折图案，依次与扫描线相交，形成相互间隔设置的多个通道区和掺杂区，通过控制掺杂区的宽度及离子掺杂浓度来降低漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103746000B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201310725152.3 | 申请日期 | 2013.12.25 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 赵国 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人 | 潘中毅;熊贤卿 |
| 主权项 | 一种多晶硅TFT器件，其特征在于，包括：交错排列的扫描线和数据线；与所述扫描线和数据线电连接的半导体层；以及与所述半导体层电连接的像素电极；所述半导体层自其与所述数据线的连接点至其与所述像素电极的连接点，形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区，所述通道区为所述半导体层与扫描线相交重叠的部分，其余部分为掺杂区，至少一个所述掺杂区的宽度为0.5‑3μm，离子掺杂浓度为2*E11～5*E15/cm<sup>3</sup>；其中，扫描线(20)包括主线(200)和多个分支，其中第一分支(201)位于所述数据线(12)左侧，自所述主线(200)向下延伸设置并与所述主线(200)相垂直；第二分支(202)为L形，位于所述主线(200)上方、所述数据线(12)左侧，并与所述主线(200)相邻接；第三分支(203)位于所述数据线(12)右侧，垂直于所述主线(200)并延伸出所述主线(200)上下两侧；所述第一分支(201)、第二分支(202)和第三分支(203)均为矩形。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||