用于通过溶液生长法制造SiC单晶的装置、以及用于使用该制造装置和该制造装置中使用的坩埚制造SiC单晶的方法

摘要

用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。

主权项

用于通过溶液生长法制造SiC单晶的装置，其特征在于，包括：籽晶架(28)，其具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶(32)；以及用于容纳SiC溶液的坩埚(14)，其中所述坩埚(14)包括圆柱形部分(34)、设在所述圆柱形部分下端的底部(36)、以及设在所述圆柱形部分中的内盖(38)，并且所述内盖(38)包括通孔(40)，当SiC溶液容纳在所述坩埚中时，所述内盖位于所述SiC溶液的液面下方，并且在使所述SiC单晶生长时，所述内盖(38)位于所述SiC籽晶(32)的晶体生长表面的下方，并且从所述SiC熔液的液面到所述内盖(38)的上表面的距离与从所述内盖(38)的下表面到所述底部(36)的上表面的距离之比为大于或等于0.17、小于或等于2.86。