| 发明名称 | 深沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且具有比第一钝化层高的氧原子百分比。半导体器件还包括沟槽中的位于钝化氧化物层上的第二钝化层，其中，第二钝化层也包括第一介电材料并且具有比钝化氧化物层低的氧原子百分比。本发明实施例涉及深沟槽隔离结构及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106486506A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610626795.6 | 申请日期 | 2016.08.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 赖志育;周正贤;蔡正原;江彦廷;杜友伦 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一钝化层，位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着所述半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸，其中，所述第一钝化层包括第一介电材料；钝化氧化物层，在所述沟槽中并且位于所述第一钝化层上，其中，所述钝化氧化物层包括所述第一介电材料的氧化物并且具有比所述第一钝化层高的氧原子百分比；以及第二钝化层，在所述沟槽中并且位于所述钝化氧化物层上，其中，所述第二钝化层包括所述第一介电材料并且具有比所述钝化氧化物层低的氧原子百分比。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||