半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

主权项

一种半导体器件，包括:下部结构，包括下部导体；设置在所述下部结构上的上部结构，所述上部结构具有暴露所述下部导体的开口；和填充所述开口的连接结构，所述连接结构连接到所述下部导体，其中所述连接结构包括：覆盖所述开口的内表面的第一钨层，所述第一钨层在所述开口中限定凹进区；和在所述第一钨层上的填充所述凹进区的第二钨层，其中在所述连接结构的上部中的所述第二钨层的晶粒尺寸大于在所述连接结构的下部中的所述第二钨层的晶粒尺寸。