| 发明名称 | 碳化硅半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300‑1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104428878B | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201380036253.8 | 申请日期 | 2013.06.18 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 日吉透;内田光亮;增田健良 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：制备碳化硅衬底；在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将所述碳化硅衬底加热到1300℃或者更高且1500℃或者更低的温度的第二加热步骤；以及在所述第二加热步骤之后，在第一惰性气体气氛中加热所述碳化硅衬底的第三加热步骤，其中，在所述第三加热步骤中，将所述碳化硅衬底加热到1300℃或者更高且1500℃或者更低。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||