发明名称 |
硅、银双置换羟基磷灰石材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种硅、银双置换羟基磷灰石材料,其特征在于,所述材料含有0.1 wt%至10 wt%的银元素和0.1 wt%至10 wt%的硅元素,并且钙、银元素的摩尔数之和与磷、硅元素的摩尔数之和的比值为1.6~1.7。还提供了硅、银双置换羟基磷灰石材料的晶型,以及该硅、银双置换羟基磷灰石材料或其晶型的制备方法。该硅、银双置换羟基磷灰石材料可作为医用生物材料及其他植入类医疗器械的生产和改性材料、作为植入物或填充物等很好的运用于人体骨骼、牙齿等器官。 |
申请公布号 |
CN104724687B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201510089318.6 |
申请日期 |
2015.02.27 |
申请人 |
杨智杰 |
发明人 |
杨智杰 |
分类号 |
C01B25/32(2006.01)I;A61L27/42(2006.01)I;A61L27/54(2006.01)I;A61L31/12(2006.01)I;A61L31/14(2006.01)I |
主分类号 |
C01B25/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 |
代理人 |
刘丹妮 |
主权项 |
一种硅、银双置换羟基磷灰石材料,其特征在于,所述材料含有0.1wt%至10wt%的银元素和0.1wt%至10wt%的硅元素,并且钙、银元素的摩尔数之和与磷、硅元素的摩尔数之和的比值为1.6~1.7;且在所述硅、银双置换羟基磷灰石材料的晶型中,银离子取代羟基磷灰石中钙离子的晶格位置,硅离子取代所述羟基磷灰石中磷离子的晶格位置并引起晶格体积增加。 |
地址 |
550001 贵州省贵阳市云岩区友谊路230号5栋3单元602室 |