| 发明名称 | 一种利用电流值表征硅片表面粗糙度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。 | ||
| 申请公布号 | CN106477517A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201510551503.2 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 杨芳;张大成;何军;张立;刘鹏;王玮;李婷;罗葵;田大宇 |
| 分类号 | B81C99/00(2010.01)I | 主分类号 | B81C99/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种利用电流值表征硅片表面粗糙度的方法，其步骤包括：1)将硅片被侧面和参考玻璃片正对接触，并对玻璃片进行加热；2)在硅片的一侧施加正向电压，玻璃的一侧接负极；3)记录下电压施加瞬间电流里面的电流值，用此电流值表征硅片的表面粗糙度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||