| 发明名称 | 接触孔形成方法 | ||
| 摘要 | 形成接触孔的方法包含∶(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔。所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。还提供了图案处理组合物和通过所述方法形成的电子装置。本发明尤其适用于制造提供高分辨率接触孔图案的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN106486348A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610719050.4 | 申请日期 | 2016.08.24 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 | 发明人 | J·K·朴;P·D·胡斯泰特 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 主权项 | 一种接触孔形成方法，其包含：(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔；其中所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||