一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，原料使用纯度≥99.999％的高纯块状镉和纯度≥99.999％的块状硒，组成成分镉/硒为1.0:(1.0～1.03)，接近理想化学计量比，可直接用作硒化镉单晶体生长原料。选用内径介于Φ10～Φ50mm的管状电子级石英安瓿，并将石英安瓿水平置于管式炉内制备超高纯度硒化镉多晶材料。本发明方法硒化镉多晶粉体材料制备过程一步完成，保温时间短，产率高，无需提纯，因而工艺简单，成本低，具有实现超高纯度硒化镉规模制备的前景。

主权项

一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将清洗好的石英安瓿置于真空烘箱中，在110℃温度下保温3小时后干燥；所述石英安瓿是内径为Φ10～Φ50mm的管状电子级石英安瓿；步骤2：将的块状镉和块状硒按照摩尔比为(1.0～1.05)∶1.0装入石英安瓿中，使得石英安瓿的填满度≤50％；再按照石英安瓿容积浓度为0.01～0.05mmol·cm^‑3装入CdI₂或CdCl₂或CdBr₂；抽真空除去石英安瓿中的空气，当石英安瓿中气压降为5×10^‑4～5×10^‑3Pa时密封石英安瓿；所述块状镉和块状硒的纯度≥99.999％；步骤3：将密封的石英安瓿水平置于管式炉内，然后按300℃·h^‑1升温至950～1000℃，保温24～72小时；保温时间结束后，按50℃·h^‑1的速率冷却至室温，在石英安瓿内得到超高纯度硒化镉多晶粉体。