发明名称 高周波半導体装置
摘要 【課題】MMICとパッケージ信号端子との接続が広帯域に整合可能な高周波半導体装置を提供する。【解決手段】高周波半導体装置は、半導体チップと、パッケージと、中継基板と、第1および第2のボンディングワイヤと、を有する。半導体チップには、MMICが設けられる。パッケージは、金属板と、絶縁体枠部と、パッケージ信号端子と、を含む。パッケージ信号端子に負荷が接続されたとき、内部端からみた負荷インピーダンスが容量性である。中継基板は、半導体チップとパッケージ信号端子との間に配置され、伝送線路を有する。第1のボンディングワイヤは、半導体チップの第1の電極と、伝送線路の第1の端部と、を接続する。第2のボンディングワイヤは、伝送線路の第2の端部と、パッケージ信号端子の内部端と、を接続する。第2のボンディングワイヤのインダクタンスは、第1のボンディングワイヤのインダクタンスよりも大きい。【選択図】図1
申请公布号 JP2017045957(A) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20150169579 申请日期 2015.08.28
申请人 株式会社東芝 发明人 高木 一考
分类号 H01L23/12;H01P1/04;H01P5/08;H03H7/38 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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