| 摘要 |
結晶の直径が４インチ以上、かつ、反りの曲率半径が１００ｍ以上であり、結晶の不純物濃度が１×１０１７／ｃｍ３以下である窒化物半導体結晶を提供する。基板を用意する工程と、分圧が９．０×１０−３ａｔｍ以上である三ハロゲン化ガリウムガスを基板上に供給する工程と、基板上に、ＧａＮ結晶を−Ｃ軸方向に成長させる工程とを備え、ＧａＮ結晶の成長温度が１２００℃以上である窒化物半導体結晶の製造方法、もしくは、基板を用意する工程と、分圧が９．０×１０−３ａｔｍ以上である三ハロゲン化アルミニウムガスを基板上に供給する工程と、基板上に、ＡｌＮ結晶を−Ｃ軸方向に成長させる工程とを備え、ＡｌＮ結晶の成長温度が１４００℃以上である窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。 |
