| 摘要 |
【課題】電極の電極抵抗を低減させたシリコン光変調器を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の光変調器は、基板と、基板上に形成された下部クラッドと、下部クラッドに形成され、リブ形のアーム導波路を有する導波路であって、アーム導波路の幅方向中心線から一方の導波路縁側はｐ型半導体領域であり、幅方向中心線から他方の導波路縁側はｎ型半導体領域であり、幅方向中心線は、ｐｎ接合部が形成され、ｐ型半導体領域は、ｎ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｐ型半導体領域が形成され、ｎ型半導体領域は、ｐ型半導体領域と反対方向の上面の一部に高濃度ｎ型半導体領域が形成された、導波路と、折り目がアーム導波路の光の導波方向と同じ方向になるように基板垂直方向に蛇腹状に折り曲げられ、それぞれが高濃度ｐ型半導体領域及び高濃度ｎ型半導体領域に接続された二枚の電極と、導波路上に形成された上部クラッドとを備える。【選択図】図２ |
