| 摘要 |
半導体装置は、第１導電型不純物を含む高濃度層を有するシリコン基板と、高濃度層の上に形成され、第１導電型不純物を含む低濃度層と、低濃度層の上に形成された第１の電極及び第２の電極と、第２の電極と高濃度層との間に電流を流す縦型半導体素子と、第１の電極と高濃度層との間を電気的に導通させる第１のトレンチ部とを有し、第１のトレンチ部は、第１導電型の不純物を含む第１のポリシリコンと、平面視で第１のポリシリコンを囲む第１導電型不純物を含む拡散層とを有し、第１のポリシリコンは、低濃度層を貫通して高濃度層に達するように形成され、第１のポリシリコンと拡散層の第１導電型不純物濃度は、低濃度層から高濃度層に至る方向において一定である。 |
