| 摘要 |
耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。基板１と、基板１の主面に形成されたｎ型のドリフト領域４と、ドリフト領域４内に、ドリフト領域４の基板１と接する第１の主面とは反対側の第２の主面から、第２の主面の垂直方向にそれぞれ延設されたｐ型のウェル領域２、ｎ型のドレイン領域５及びｎ型のソース領域３と、第２の主面から垂直方向に設けられ、基板１の第１の主面と平行な方向においてソース領域３及びウェル領域２を貫通するゲート溝８と、ゲート溝８の表面にゲート絶縁膜６を介して形成されたゲート電極７とを備え、ドリフト領域４の不純物濃度が基板１の不純物濃度よりも高く、ウェル領域２が基板１内まで延設されている。 |
