オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法及びオプトエレクトロニクス半導体チップ

摘要

− 平坦な面（１１）上に多数の三次元的に成形された表面構造（１２）を備えた平坦な面（１１）により形成される成長表面（１０）を備えた成長基板（１）を準備する工程；− 成長表面（１０）上に直接、酸素を含むＡｌＮからなる核形成層（２）を大面積で施す工程、− 核形成層（２）上に、窒化物を基礎とする半導体積層部（３）を成長させ、半導体積層部（３）を、平坦な面（１１）から選択的に成長させる工程を含むエレクトロニクス半導体チップ（１００）を製造する方法、および、エレクトロニクス半導体チップが開示されている。