| 摘要 |
【課題】バンドギャップが比較的小さく、なおかつ強い光吸収特性を示す半導体材料が簡便に合成できる方法を提供する。【解決手段】金属イオンに配位可能な窒素原子を骨格に含むπ共役有機分子とチオシアン酸銅からなり、π共役有機分子と銅イオンが配位結合している半導体材料。前記π共役有機分子としては、下記式で表される１，４，５，８，９，１２ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）を骨格中に有しているものが望ましく、ＨＡＴ中には、金属イオンに配位可能な窒素原子が骨格に含まれており、π共役有機分子としては、ＨＡＴに官能基が結合したものを含む半導体材料。前記半導体材料はバンドギャップが小さくなり、有機薄膜太陽電池の活性層として利用可能な光吸収体を有しており、活性層として前記半導体を用いる太陽電池。【選択図】なし |
