| 摘要 |
化学増幅型レジストにより形成されたレジスト層２と、前記レジスト層２を被覆するように形成された保護層４と、前記レジスト層２と前記保護層４との間に設けられたバッファ層３と、を有し、前記保護層４は、酸性物質、塩基性物質、および当該酸性物質が当該塩基性物質と反応することにより生じた塩を含有しており、前記バッファ層３は、前記保護層４により被覆される前の被覆前レジスト層２０の表層部分であって前記被覆前レジスト層２０と前記保護層４とが接触する部分を構成要素とするものであり、且つ、当該部分が、前記保護層４から移動してきた前記酸性物質、前記塩基性物質および前記塩を受け入れることにより形成されるものであるマスクブランクを提供する。 |
