ショットキーバリアダイオード

摘要

【課題】耐圧特性及びリーク特性に優れる、Ｇａ２Ｏ３系のショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】一実施の形態として、ｎ型の第１のＧａ２Ｏ３系単結晶からなる第１の層１０と、ｎ型の第２のＧａ２Ｏ３系単結晶からなり、第１の層１０よりも実効ドナー濃度が低い第２の層１１と、開口部１２ａを有する絶縁層１２と、絶縁層１２の開口部１２ａ内で第２の層１１にショットキー接触し、かつ絶縁層１２の開口部１２ａ周辺の領域に乗り上げたフィールドプレート１３ａを有するアノード電極１３と、カソード電極１４と、を有し、第２の層１１の実効ドナー濃度が１．４×１０１６ｃｍ−３以下であり、フィールドプレート１３ａの長さが１０μｍ以上であり、６００Ｖ以上の耐圧を有する、ショットキーバリアダイオードを提供する。【選択図】図１