| 摘要 |
【課題】ＨＭＣＺ法におけるテール絞り工程中の融液面に結晶析出が生じることを防止し、これにより単結晶の製品歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】本発明によるシリコン単結晶の製造方法は、石英ルツボ１２内に収容されたシリコン融液３に水平磁場を印加しながらシリコン融液３からシリコン単結晶２を引き上げる方法であって、磁場中心の高さ位置Ｃを融液面付近に設定して水平磁場を印加する第１の磁場印加工程と、磁場中心の高さ位置を融液面付近よりも下方に設定して水平磁場を印加する第２の磁場印加工程とを含む。第１の磁場印加工程は少なくともシリコン単結晶２の製品取得領域の育成工程中に行われ、第２の磁場印加工程は製品取得領域の育成工程御終了後に行われる。【選択図】図１ |
