| 摘要 |
【課題】レジストパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体１上に第１のレジストパターン２を形成する工程Ａと、前記第１のレジストパターン２を被覆するように、シュリンク剤組成物３を塗布する工程Ｂと、前記工程Ｂで得られた、シュリンク剤組成物３に被覆された前記第１のレジストパターン２表面に、現像液不溶性領域２ａを形成する工程Ｃと、前記被覆された第１のレジストパターンを現像する工程Ｄと、を有し、前記シュリンク剤組成物２が、高分子化合物（Ｘ）を含有し、前記高分子化合物（Ｘ）の分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が１．５以下であることを特徴とする、レジストパターン形成方法。【選択図】図１ |
