半導体装置およびその作製方法

摘要

【課題】微細なトランジスタを提供する。または、寄生容量の小さいトランジスタを提供する。または、周波数特性の高いトランジスタを提供する。またはオン電流の大きなトランジスタを提供する。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供する。または、集積度の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体と、第２の絶縁体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、第５の導電体と、を有し、第２の絶縁体、第２の導電体、第３の導電体、第４の導電体および第５の導電体からなる開口部に埋め込まれた第１の導電体および第１の絶縁体を有し、第２の導電体は、第２の導電体の側面および第２の導電体の底面と、第４の導電体と、が接する領域を有し、第３の導電体は、第３の導電体の側面および第３の導電体の底面と、第５の導電体と、が接する領域を有する半導体装置。【選択図】図１