半导体晶片的洗净方法

摘要

本发明是一种半导体晶片的洗净方法，其特征在于，在由平均铝浓度为1ppb以下的合成石英材料所构成的洗净槽内，装满包含氨和过氧化氢的洗净液，使前述半导体晶片浸渍于前述洗净液中，并以使由前述洗净液所导致的前述合成石英的表面蚀刻速度为0.3nm/分钟以下的方式，来洗净前述半导体晶片。由此，可提供一种洗净方法，该方法可将氨/双氧水洗净液中的铝浓度保持为低浓度，并提高半导体晶片的表面清洁度。

主权项

一种半导体晶片的洗净方法，其特征在于，在由平均铝浓度为1ppb以下的合成石英材料所构成的洗净槽内，装满包含氨和过氧化氢的洗净液，使前述半导体晶片浸渍于前述洗净液中，对前述洗净液的温度、或前述洗净液中所包含的前述氨与前述过氧化氢的混合比的组成进行控制，并使由前述洗净液所导致的前述合成石英的表面蚀刻速度为0.2nm/分钟以下，利用使前述洗净液循环并进行过滤及恒温加热的循环过滤装置，一边将前述洗净液中的氨及过氧化氢分别控制为一定的浓度，一边洗净前述半导体晶片，以使前述半导体晶片的表面铝浓度成为1×10¹⁰原子/cm²以下。