磁性存储器以及制造方法

摘要

本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。

主权项

一种形成磁性存储器的方法，其包括：在衬底的基底部分上提供具有多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的所述层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的所述层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定所述层堆叠的部分中的所述层堆叠的暴露区域；以及以有效地在不移除所述层堆叠的所述暴露区域的情况下使所述第一保护区域与所述第二保护区域磁隔离并且使所述第一保护区域与所述第二保护区域电隔离的离子剂量朝向所述层堆叠的所述暴露区域引导离子。