垂直DMOS晶体管

摘要

一种晶体管，包含一个半导体本体；一个形成在半导体本体中的第一导电类型的本体区；一个与本体区部分重叠的栅极电极，并且通过栅极电介质层，与半导体本体绝缘；一个第二导电类型的源极扩散区，形成在栅极电极第一侧的本体区中；一个形成在栅极电极第二侧半导体本体中的沟槽，第二侧与第一侧相对，沟槽内衬侧壁电介质层，第二导电类型的掺杂侧壁区沿沟槽的侧壁，形成在半导体本体中，掺杂侧壁区在沟槽侧壁构成晶体管的垂直漏极电流通路。

主权项

一种晶体管，其特征在于，该晶体管包含：一个半导体本体；一个第一导电类型的本体区，形成在半导体本体中；一个栅极电极，与本体区部分重叠，并且通过栅极电介质层，与半导体本体绝缘；一个第二导电类型的源极扩散区，形成在栅极电极第一侧的本体区中；一个沟槽，形成在栅极电极第二侧的半导体本体中，栅极电极的第二侧与第一侧相对，沟槽内衬侧壁电介质层；以及一个第二导电类型的掺杂侧壁区，沿沟槽侧壁形成在半导体本体中，掺杂侧壁区构成晶体管的垂直漏极电流通路；其中沟槽内衬一个薄电介质层，作为侧壁电介质层，一个底部电介质层填充在沟槽底部，一个导电层填充在底部电介质层上方，导电层电连接到栅极电极或源极电极；其中半导体本体包含；一个第一导电类型的衬底；一个第二导电类型的掩埋层，形成在衬底上；以及一个第二导电类型的外延层，形成在衬底上，其中沟槽至少触及掩埋层，晶体管的漏极电流穿过掺杂侧壁区，流至掩埋层。