| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置制造方法。通过适当地配置具有不同高度的多个虚拟氧化膜，从而提高膜的平坦性。在形成第一高度的栅极氧化膜以及比第一高度低的第二高度的栅极氧化膜的半导体基板配置第一高度的虚拟氧化膜以及第二高度的虚拟氧化膜。此外，在任意的区域中，在将氧化膜占有所述任意的区域的面积的比例称为数据率时，以如下方式配置虚拟氧化膜，即，关于各个高度，按每个高度将对所述高度的栅极氧化膜的数据率和所述高度的虚拟氧化膜的数据率之和乘以所述高度的积相加后的总和在所述任意的区域中为固定。 | ||
| 申请公布号 | CN106469651A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201610688444.8 | 申请日期 | 2016.08.19 |
| 申请人 | 辛纳普蒂克斯日本合同会社 | 发明人 | 大浦雅史;藤井康博 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 秦琳;陈岚 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，具备：第一高度的第一构造体，构成第一晶体管；所述第一高度的第一虚拟图案；比所述第一高度低的第二高度的第二构造体，构成第二晶体管；以及所述第二高度的第二虚拟图案。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||