| 发明名称 | 用于夹持作用减小的远紫外静电吸盘的方法及结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的一个实施例。半导体结构包括具有正面和背面的半导体衬底；形成在半导体衬底的正面上的集成电路部件；以及设置在半导体衬底的背面上的多晶硅层。本发明还提供了用于夹持作用减小的远紫外静电吸盘的方法及结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103681782B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201210507320.7 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许家豪;陈家桢;傅中其;高慈炜;林毓超 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造集成电路的方法，包括：提供具有正面和背面的半导体衬底；分别在所述半导体衬底的所述正面和所述背面上形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；从所述半导体衬底的所述正面去除所述第一多晶硅层；对所述半导体衬底的所述背面上的所述第二多晶硅层进行注入以形成粗糙表面；以及将所述半导体衬底的所述背面固定至静电吸盘，使得所述粗糙表面与所述静电吸盘直接接触。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||